Vishay Intertechnology, Inc.๋ ์์์, ์ ๋ฝ ๋ฐ ๋ฏธ์ฃผ ์ง์ญ์์ ๊ฐ๋ณ ๋ฐ๋์ฒด ๋ฐ ์๋ ์ ์ ๋ถํ์ ์ ์กฐ ๋ฐ ๊ณต๊ธํฉ๋๋ค. ์ด ํ์ฌ๋ MOSFET(๊ธ์ ์ฐํ๋ฌผ ๋ฐ๋์ฒด ์ ๊ณ ํจ๊ณผ ํธ๋์ง์คํฐ), ๋ค์ด์ค๋, ๊ด์ ์ ๋ถํ, ์ ํญ๊ธฐ, ์ธ๋ํฐ ๋ฐ ์ปคํจ์ํฐ์ 6๊ฐ ๋ถ๋ฌธ์ ํตํด ์ด์๋ฉ๋๋ค. ์ ์ ์ ๋ฐ ์ค์ ์ TrenchFET MOSFET, ๊ณ ์ ์ ํ๋ฉด MOSFET, ๊ณ ์ ์ ์ด์ ํฉ MOSFET, ์ ๋ ฅ ์ง์ ํ๋ก, ํตํฉ ๊ธฐ๋ฅ ์ ๋ ฅ ์ฅ์น์ ๊ฐ์ ๋ฐ๋์ฒด ๋ถํ์ ์ ๊ณตํฉ๋๋ค. ์ ๋ฅ๊ธฐ, ์์ ํธ ๋ค์ด์ค๋, ๋ณดํธ ๋ค์ด์ค๋, ์ฌ์ด๋ฆฌ์คํฐ ๋๋ ์ค๋ฆฌ์ฝ ์ ์ด ์ ๋ฅ๊ธฐ ๋ฐ ์ ์ ๋ชจ๋; ์ ์ธ์ (IR) ์ด๋ฏธํฐ ๋ฐ ๊ฐ์ง๊ธฐ, IR ์๊ฒฉ ์ ์ด ์์ ๊ธฐ, ๊ด์ปคํ๋ฌ, ์๋ฆฌ๋ ์คํ
์ดํธ ๋ฆด๋ ์ด, ๊ดํ ์ผ์, ๋ฐ๊ด ๋ค์ด์ค๋, 7์ธ๊ทธ๋จผํธ ๋์คํ๋ ์ด ๋ฐ IR ๋ฐ์ดํฐ ํธ๋์๋ฒ ๋ชจ๋๊ณผ ๊ฐ์ ํ์ค ๋ฐ ๊ณ ๊ฐ๋ณ ๊ด์ ์ ๋ถํ. ์ด ํ์ฌ๋ ๋ํ ์ ํญ๊ธฐ, ์ธ๋ํฐ ๋ฐ ์ปคํจ์ํฐ๋ฅผ ํฌํจํ ์๋ ๋ถํ๋ ์ ๊ณตํฉ๋๋ค. ๋ฐ๋์ฒด ๋ถํ์ ์ ๋ ฅ ์ ์ด, ์ ๋ ฅ ๋ณํ, ์ ๋ ฅ ๊ด๋ฆฌ, ์ ํธ ์ค์์นญ, ์ ํธ ๋ผ์ฐํ
, ์ ํธ ์ฐจ๋จ, ์ ํธ ์ฆํญ, ์๋ฐฉํฅ ๋ฐ์ดํฐ ์ ์ก, ๋จ๋ฐฉํฅ ์๊ฒฉ ์ ์ด ๋ฐ ํ๋ก ์ ์ฐ ๊ธฐ๋ฅ์ ์ฌ์ฉ๋ฉ๋๋ค. ์๋ ๋ถํ์ ์ ๋ฅ ํ๋ฆ์ ์ ํํ๊ณ , ์ ์ ์ฆ๊ฐ๋ฅผ ์ต์ ํ๊ณ , ์๋์ง๋ฅผ ์ ์ฅ ๋ฐ ๋ฐฉ์ ํ๊ณ , ๊ต๋ฅ ๋ฐ ์ ์์ ์ ์ดํ๊ณ , ์์น ์๋ ์ ๊ธฐ ์ ํธ๋ฅผ ํํฐ๋งํ๋ ๋ฑ์ ๊ธฐ๋ฅ์ ์ํํ๋ ๋ฐ ์ฌ์ฉ๋ฉ๋๋ค. ์ด ํ์ฌ๋ ์ฐ์
, ์ปดํจํ
, ์๋์ฐจ, ์๋น์ ๊ฐ์ , ํต์ , ์ ์ ๊ณต๊ธ ์ฅ์น, ๊ตฐ์ฌ ๋ฐ ํญ๊ณต ์ฐ์ฃผ, ์๋ฃ ์ต์ข
์์ฅ์ ์๋น์ค๋ฅผ ์ ๊ณตํฉ๋๋ค. Vishay Intertechnology, Inc.๋ 1962๋
์ ์ค๋ฆฝ๋์์ผ๋ฉฐ ํ์ค๋ฒ ๋์์ฃผ ๋งฌ๋ฒ์ ๋ณธ์ฌ๋ฅผ ๋๊ณ ์์ต๋๋ค.